国际上一般把禁带宽度（Eg）大于或等于2.3电子伏特（eV）的半导体材料称之为第三代半导体材料，常见的第三代半导体材料包括：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石、氧化锌、氮化铝等。其中，从SiC和GaN技术发展相对趋于成熟，已经开始产业化应用而金刚石、氧化锌、氮化铝等材料尚处于研发起步阶段。

    与硅（Si）、锗（Ge）等第一代半导体材料，砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等特点，其器件具有高频、大功率、低损耗、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优势，可以被广泛应用于半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器固态光源、射频器件等领域，是支持5G移动通信、新能源汽车、高速列车、光伏、风电、智慧电网、国防安全等创新发展的关键核心材料和器件。

    由于第三代半导体材料及其制作的各种器件的优越性能，其已成为全球半导体技术研究前沿和各国产业竞争的新焦点，如：美国提出电力美国（Power America），欧盟提出“5G GaN2”等研究计划，英国组建化合物半导体应用创新中心等，促进第三代半导体材料及器件研发。当前，全球第三代半导体尚处于产业发展起步阶段，据CCID数据，2018年全球第三代半导体材料市场规模为4.19亿美元，同比增长42.6%，未来5-10年，随着内新能源汽车、5G等推广，全球对第三代半导体的应用需求将更加迫切，产业将进入加速发展阶段。我国在第三代半导体研发、产业领域有一定的基础，总体与国际领先水平差距不大，未来，第三代半导体也将成为我国半导体产业提升的重要突破口。