第三代半导体材料是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）等元素半导体为代表，奠定了微电子产业基础；第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）为代表，奠定了信息产业基础；以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景，有望突破传统半导体技术的瓶颈，与第一代、第二代半导体技术互补，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点将发挥重要作用。

　　目前，美、欧、日等各国积极进行第3代半导体技术的战略部署。随着SiC、GaN器件的制备工艺逐步成熟，其生产成本也在不断降低，第3代半导体正以其优良的性能突破传统硅基材料的瓶颈，逐步进入硅基半导体市场，有望引领新一轮产业革命。在中国政府的积极推进下，第三代半导体技术显着提升，政策全面加速，资本积极进入，企业加快布局，南北基地启动，第三代半导体产业在中国加速发展。

　　第三代半导体材料是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）等元素半导体为代表，奠定了微电子产业基础；第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）为代表，奠定了信息产业基础；以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景，有望突破传统半导体技术的瓶颈，与第一代、第二代半导体技术互补，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点将发挥重要作用。

　　目前，美、欧、日等各国积极进行第3代半导体技术的战略部署。随着SiC、GaN器件的制备工艺逐步成熟，其生产成本也在不断降低，第3代半导体正以其优良的性能突破传统硅基材料的瓶颈，逐步进入硅基半导体市场，有望引领新一轮产业革命。在中国政府的积极推进下，第三代半导体技术显着提升，政策全面加速，资本积极进入，企业加快布局，南北基地启动，第三代半导体产业在中国加速发展。